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L(Y)SO硅酸(釔)镥晶體
更新日期:2024-05-14
訪問(wèn)量:979
廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
生產(chǎn)地址:
簡(jiǎn)要描述:
L(Y)SO硅酸(釔)镥晶體L(Y)SO晶體特征●高能量分辨率●快衰減時(shí)間●高光產(chǎn)額●高光輸出
L(Y)SO硅酸(釔)镥晶體
L(Y)SO硅酸(釔)镥晶體
日本進(jìn)口boya-L(Y)SO硅酸(釔)镥晶體
L(Y)SO
L(Y)SO硅酸(釔)镥晶體具有高密度、高光產(chǎn)額、快衰減時(shí)間、高能量分辨率等優(yōu)良特性。利用該晶體制成的γ射線探測(cè)器在核醫(yī)學(xué)成像、高能物理、核物理等領(lǐng)域有著非常廣闊的應(yīng)用前景,是新一代正電子發(fā)射計(jì)算機(jī)斷層掃描儀(Positron Emission Tomography,簡(jiǎn)稱PET)中的核心探測(cè)部件。
L(Y)SO晶體特征
●高能量分辨率
●快衰減時(shí)間
●高光產(chǎn)額
●高光輸出
●高能量分辨率
●快衰減時(shí)間
●高光產(chǎn)額
●高光輸出
基本參數(shù)
項(xiàng)目 | 參數(shù) |
密度(g / cm3) | 7.2 |
熔點(diǎn)(℃) | 2050 |
硬度(莫氏) | 5.8 |
折射率 | 1.82 |
衰減時(shí)間(ns) | <42 |
光產(chǎn)額(Photon/Mev) | ≥32000 |
抗輻射強(qiáng)度(rad) | >106 |
吸濕性 | 否 |
能量分辨率 | 8-10% |
峰值發(fā)射(nm) | 428 |
有效原子數(shù) | 66 |
輻照長(zhǎng)度(cm) | 1.10 |
LYSO硅酸釔镥晶體陣列主要用于核醫(yī)學(xué)成像設(shè)備PET, PET/CT,PET/MRI,SPECT的探測(cè)器模塊。我們可以基于客戶的陣列設(shè)計(jì)圖紙,生產(chǎn)和制造特定的晶體條尺寸及陣列封裝。我司生產(chǎn)制造的LYSO晶體陣列和位置敏感型光電倍增管(PSPMT)和硅光電倍增管(SiPM)能很好的匹配。我司能提供各種設(shè)計(jì)選項(xiàng)和反射層材料來(lái)優(yōu)化陣列性能,確保高光輸出,限度的減小串光現(xiàn)象。 | |
L(Y)SO陣列組裝 | |
偏移晶體陣列 | |
Upper layer: | 1.78×1.78×8mm³(13×13) |
Upper layer: | 1.78×1.78×12mm³(14×14) |
All surfaces of crystal | polished |
Reflector: | 3M ESR film 0.065mm |
雙面輸出陣列 | |
13×13 Arrays | |
Pixel Size: | 0.497×0.497×20mm³ |
Reflector: | BaSO4 |
LYSO 8×8 晶體陣列 | |
Crystal elements: | 4×4×20mm³ |
Reflector type: | BaSO4 powders loaded with optical glued. |
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